
ИОФФЕ АБРАМ ФЁДОРОВИЧ - Российский физик и организатор отечественной науки, академик (1920 год), вице-президент (1926-1929 годы и 1942-1945 годы) АН СССР. Герой Социалистического Труда (1955).
Окончил Санкт-Петербургский технологический институт (1902 год) и Мюнхенский университет (1905 год), в котором работал (1903-1906 годы) ассистентом В.К. Рентгена. С 1906 года в Санкт-Петербургском (с 1924 Ленинградском) политехническом институте, в 1913-1948 годах профессор этого института; организовал здесь физико-технический факультет для подготовки инженеров-физиков. С 1918 года руководил созданным по его инициативе Физико-техническим отделом Государственного рентгенологического и радиологического института, преобразованным в 1921 году в Физико-технический институт (ныне имени Иоффе), был его директором до 1951 года. С 1952 года директор Лаборатории полупроводников (с 1955 года Институт полупроводников) АН СССР. С 1932 года также директор Физико-агрономического института, организованного по его инициативе. По предложению Иоффе и при его участии созданы физико-технические институты в Харькове, Днепропетровске, Екатеринбурге, Томске.
Основные научные труды посвящены различным аспектам физики твёрдого тела. В 1913 году установил статистический характер вылета электронов при внешнем фотоэффекте. Совместно с М.В. Кирпичёвой объяснил механизм электропроводности ионных кристаллов (1916-1923 годы). Совместно с сотрудниками исследовал прочность и пластичность кристаллов и показал, что прочность повышается в сотни раз при устранении поверхностных микроскопических дефектов; на основе этого открытия в 1942-1947 годах были созданы методы получения высокопрочных материалов. В работах Иоффе разработаны рентгенографические методы изучения пластических деформаций.
В начале 1930-х годов Иоффе впервые обратил внимание на необходимость изучения полупроводников как новых материалов для электроники и организовал их всестороннее исследование, совместно с А.В. Иоффе создал методику определения их основных характеристик. Им и его учениками проведена (1931-1940 годы) научная классификация полупроводниковых материалов. На основе этих научных разработок были созданы термо- и фотоэлектрические генераторы и термоэлектрические холодильные установки. За исследования в области физики полупроводников Иоффе удостоен Государственной премии СССР (1942 год).
Иоффе уделял большое внимание воспитанию отечественных научных кадров, поднимая уровень преподавания физики и привлекая в свой институт наиболее талантливых учёных, таких как А.П. Александров, Л.А. Арцимович, И.К. Кикоин, П.П. Кобеко, И.В. Курчатов, П.И. Лукирский, Н.Н. Семёнов, Я.И. Френкель и др. С 1993 года РАН присуждает премию имени Иоффе за выдающиеся работы в области физики. Член Президиума Международного союза чистой и прикладной физики. Иностранный член множества академий и других научных учреждений мира. Ленинская премия (1961 год, посмертно). Награждён 3 орденами Ленина.
Сочинения:
Физика кристаллов. М.; Л., 1929;
Физика полупроводников. 2-е изд. М.; Л., 1957.
Иллюстрация:
А. Ф. Йоффе. Архив БРЭ.