Научный путь к Нобелевской премии

Родился в семье инженера, участника Первой мировой и Гражданской войны. Алферовы много раз переезжали из-за работы отца, перед войной они оказались в Туринске (Свердловская область), где Иван Карпович получил место на «Целлюлозном заводе № 3 НКВД». Жорес учился с 5 по 8 класс в средней общеобразовательной школе № 2, которая впоследствии получила его имя. В мае 1945 г. Алферовы переехали в Минск, где Жорес Иванович продолжил учебу в единственной мужской тогда средней школе № 42. Получил аттестат с золотой медалью и поступил в Белорусский политехнический институт, отучился лишь год и вместе с семьей переехал в Ленинград, где продолжил учебу на факультете электронной техники ЛЭТИ, который ему рекомендовал его школьный учитель Я.Б. Мельцерзон. По распределению с 1953 г. работал младшим научным сотрудником в лаборатории В.М. Тучкевича, занимавшегося разработкой полупроводниковых приборов, в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе. Вместе с Р.Ф. Казариновым исследовал гетеропереходы, им удалось создать полупроводниковый гетеролазер, нашедший практическое применение в оптико-волоконной связи, в диодах, проигрывателях компакт-дисков. В 1968 г. был создан первый светодиод. В 1970 г. защитил докторскую диссертацию, после которой можно говорить о создании нового научного направления – физики гетероструктур. На основе открытий ученого, в СССР с 1970 г. было налажено производство солнечных батарей, которые стали широко применять в космической сфере. С 1972 г. Алфёров стал преподавать в ЛЭТИ, через год возглавил созданную им кафедру оптоэлектроники. В 1979 г. стал Академиком АН СССР. В 1984 г. за создание нового элемента получил Государственную премию СССР. С 1987 по 2003 г. возглавлял  Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе. Параллельно продолжал и свою педагогическую деятельность, с 1988 г. стал деканом нового Физико-технического факультета Политехнического университета (г. Ленинград). С 1991 г. по 2017 г. - вице-президент РАН, выступал резко против реформирования академии наук. С 1995 г. до своей смерти был депутатом Государственной Думы. В 2000 г. получил Нобелевскую премию по физике «за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники», нашедшие широкое применение в современной электронике.  23 февраля 2001 г. создал фонд поддержки образования и науки (в области естественных наук и физики). С 2007 г. фонд стал вручать общероссийские премии для молодых ученых до 33 лет. В 2002 г. Алферов инициировал создание Академического физико-технологического университета РАН (АФТУ РАН). С 2002 г. по его инициативе стала вручаться международная премия «Глобальная энергия» за выдающиеся научные исследования и разработки в области энергетики. В 2007 г. был среди подписантов открытого письма, в котором говорилось об угрозе «клерикализации» российского образования и общества. В 2013 г. выставил свою кандидатуру на пост президента РАН, занял второе место.